2D Semiconductors：探索微观世界的力量

2D Semiconductors是二维半导体材料生产商，专注于单层或多层二维材料（如过渡金属硫化物TMDCs、黑磷、石墨烯等）的研发、生产与商业化应用。总部位于科技创新中心，公司在全球拥有数十项核心技术，并与麻省理工学院、清华大学等顶尖科研机构建立长期战略合作。通过规模化生产与定制化服务，我们致力于推动电子器件向更轻薄、高效、低功耗的方向发展，助力碳中和目标的实现。

核心优势

1.技术：液相剥离技术实现99.9%纯度单层薄膜量产，层数控制精度达±1Å；

2.规模化生产能力：月产能突破万平方米，覆盖从研发样品到工业级批量的全链条需求；

3.材料多样性：提供20余种二维半导体材料库，适配光电器件、传感器、柔性电子等多元场景；

4.质量管控体系：通过ISO 9001/14001双认证，材料性能通过IMEC、AIST等国际机构验证；

5.可持续发展：采用无污染制备工艺，碳排放较传统半导体材料降低80%。

主要产品、技术介绍：

1.2'' wafer CVD Monolayers or Few-layers (Select material)

2英寸c向切割蓝宝石衬底上的全覆盖单层MoS₂、MoSe₂、WS₂、WSe₂（少层样品可定制）。所有CVD生长的过渡金属硫族化合物（TMDs）均表现出高发光特性，拉曼光谱研究进一步证实了单层厚度。

采用化学气相沉积（CVD）技术合成这些单层材料，在半导体级洁净室中使用6N级（99.9999%）高纯度气体和前驱体，制备出结晶度高、晶粒尺寸达1-50微米的大面积样品。与常规金属有机化学气相沉积（MOCVD）工艺不同（后者通常存在大范围缺陷且晶粒尺寸仅10纳米至500纳米），本工艺生长的样品始终保持高结晶度、高发光性，且无碳污染层残留。

2.As2S3 Crystal

硫化砷（As₂S₃）具有2:3化学计量比。经过3年累计250次生长试验后，实现了化学计量比、大晶畴尺寸（十万分之一的晶胞缺陷密度）以及超高纯度（99.9998%）。块体形态下，砷硫化物（As₂S₃）是直接带隙半导体，带隙约2.5 eV。与二硫化钼类似，其具有层状（片层）结构，层间耦合较弱，可实现单层剥离。单层厚度约为0.8 nm，理论预言的单层As₂S₃仍待实验与理论突破。本产品晶体尺寸可达约8毫米，展现出优异的光致发光特性。采用先进生长技术培育8周，晶体结晶度优异，拉曼光谱显示特征峰半高宽小于6 cm⁻¹。As₂S₃晶体易于机械剥离，是二维材料研究的理想选择。

3.2D Heterojunctions

已开发出可扩展的方法，将二维CVD生长片层背对背转移以构建二维垂直异质结。尽管二维半导体研发团队采用无化学转移工艺，但预计在转移过程中仍可能因应变、基板和缺陷等因素导致二维层物理性质发生变化。由于生产流程具有高度定制化特性，所有转移类CVD产品一经售出概不退款。

该产品展示了我们在多种基板和异质结排布方面的技术能力。定价主要取决于基板类型、CVD单层材料以及与您的应用场景和样品规格相关的其他技术挑战。我们的研发团队致力于以经济实惠的方式为您打造定制化CVD产品。

目标客户群体

高校与科研院所：提供高纯度基础材料支持基础研究；

半导体晶圆厂：兼容主流CMOS工艺的二维材料代工服务；

新能源企业：钙钛矿太阳能电池界面修饰材料定制；

消费电子品牌：折叠屏手机铰链铰支撑材料及柔性电路基板。

常见问题与解答

Q1：二维半导体材料与传统硅基材料相比有何优势？

A：二维材料具备原子级厚度、超高载流子迁移率和机械柔韧性，可突破摩尔定律极限，适用于更高集成度的柔性/异构芯片设计。

Q2：材料稳定性如何保障？

A：通过表面钝化处理与封装技术，产品在空气环境中可稳定保存12个月以上，特殊型号可达24个月。

Q3：是否支持小批量定制化生产？

A：是的，最小起订量为1cm×1cm标准尺寸，交货周期为4-6周。

Q4：是否有成功商业化案例？

A：已与OLED面板厂商合作开发透明导电薄膜，良率达95%以上。

Q5：环保合规性如何？

A：生产过程符合RoHS标准，废水回收利用率达98%，获LEED铂金级绿色工厂认证。

热销产品